參數資料
型號： MUN5134DW1T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
文件頁數： 11/20頁
文件大小： 156K
代理商： MUN5134DW1T1G
MUN5111DW1T1 Series
http://onsemi.com
11
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5130DW1T1
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Figure 32. V
CE(sat)
versus I
C
Figure 33. DC Current Gain
Figure 34. Output Capacitance
Figure 35. Output Current versus Input Voltage
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 36. Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
30
25
20
15
10
5
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
10
1
0.001
1000
V
C
,
h
F
,
C
o
,
100
6
5
4
3
2
1
0
0.001
1
10
I
C
,
10
9
8
7
10
15
10
5
0
0.1
1
20
25
V
i
,
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
0.01
0.01
0.1
TBD
I
C
/I
B
= 10
V
CE
= 10 V
V
O
= 5 V
V
O
= 0.2 V
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PDF描述
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參數描述
MUN5134T1 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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MUN5135 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
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