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      參數(shù)資料
      型號(hào): MUN5134DW1T1
      廠商: 樂山無線電股份有限公司
      英文描述: Dual Bias Resistor Transistors
      中文描述: 雙偏置電阻晶體管
      文件頁數(shù): 4/12頁
      文件大小: 216K
      代理商: MUN5134DW1T1
      第1頁第2頁第3頁當(dāng)前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁
      4
      Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
      TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5111DW1T1
      V
      I
      h
      Figure 2. VCE(sat) versus IC
      100
      10
      1
      0.1
      0.01
      0.001
      0
      Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
      TA= –25
      °
      C
      25
      °
      C
      1
      2
      3
      4
      5
      6
      7
      8
      9
      10
      Figure 3. DC Current Gain
      Figure 4. Output Capacitance
      Figure 5. Output Current versus Input Voltage
      Figure 6. Input Voltage versus Output Current
      0.01
      20
      IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
      V
      0.1
      1
      0
      40
      50
      1000
      1
      10
      100
      IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
      TA= 75
      °
      C
      –25
      °
      C
      100
      10
      0
      IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
      0.1
      1
      10
      100
      10
      20
      30
      40
      50
      TA= –25
      °
      C
      25
      °
      C
      75
      °
      C
      75
      °
      C
      IC/IB = 10
      50
      0
      10
      20
      30
      40
      4
      3
      1
      2
      VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
      C
      0
      TA= –25
      °
      C
      25
      °
      C
      75
      °
      C
      25
      °
      C
      VCE = 10 V
      f = 1 MHz
      lE = 0 V
      TA = 25
      °
      C
      VO = 5 V
      VO = 0.2 V
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      參數(shù)描述
      MUN5134DW1T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
      MUN5134T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
      MUN5134T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
      MUN5135 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
      MUN5135DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
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