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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5130T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | MUN5130T1 |
8
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5115DW1T1
Figure 22. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF
1000
100
TA = 25
°
C
VCE = 5.0 V
VCE = 10 V
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5116DW1T1
Figure 23. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF
1000
100
TA = 25
°
C
VCE = 5.0 V
VCE = 10 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5130DW1T1 | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5131DW1T1 | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5132DW1T1 | PC Board Fuse; Current Rating:400mA-10A; Voltage Rating:125V; Fuse Terminals:Radial Lead; Fuse Size/Group:Subminiature; Fuse Type:Fast Acting; Interrupting Current Max:50A; Packaging:Bulk; Voltage Rating:125V RoHS Compliant: Yes |
| MUN5133DW1T1 | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5134DW1T1 | Dual Bias Resistor Transistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5130T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5131 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5131DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5131DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k |
| MUN5131DW1T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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