參數(shù)資料
型號： MUN5116T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 114K
代理商： MUN5116T1G
MUN5111T1 Series
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS MUN5113T1
V
I
h
Figure 12. V
CE(sat)
versus I
C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.010
10
20
30
40
75
°
C
25
°
C
VC
Figure 13. DC Current Gain
1000
100
10
1
10
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
25
°
C
Figure 14. Output Capacitance
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
10
25
°
C
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
25
°
C
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
1
2
3456789
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
100
10
1
0.10
10
20
30
40
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
T
A
=25
°
C
25
°
C
75
°
C
50
I
C
/I
B
= 10
T
A
=25
°
C
25
°
C
T
A
=75
°
C
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
T
A
=75
°
C
V
O
= 0.2 V
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