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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN5116 |
| 廠(chǎng)商： | WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| 中文描述： | 偏置電阻晶體管進(jìn)步黨硅 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | MUN5116 |
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MUN5111 Series
Characteristics
Symbol
Min
Max
Unit
Typ
Electrical Characteristics
On Characteristics
Input Resistor
(T
A
=25 C Unless Otherwise noted)
R1/R2
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
0.8
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.0
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
1.2
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
MUN5114
MUN5115/MUN5116
MUN5130/MUN5131/MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5137
Resistor Ratio MUN5111/MUN5112/MUN5113
MUN5136
k
WEITRON
MUN51111T1 Series
ALL MUN5111 SERIES DEVICES
4. Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0 %
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
FIG.1 Derating Curve
250
200
150
100
50
0-50
0
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE ( C)
50
100
150
P
R
θ
JA
= 833C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5130 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5131 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5132 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5133 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5134 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5116DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱(chēng):Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5116DW1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MUN5116DW1T1 | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5116DW1T1G | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5116T1 | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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