參數(shù)資料
型號： MUN5115DW1T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/20頁
文件大?。?/td> 172K
代理商： MUN5115DW1T1
MUN5111DW1T1 Series
http://onsemi.com
2
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Package
Marking
R1 (K)
R2 (K)
Shipping
MUN5111DW1T1
SOT363
0A
10
10
3000/Tape & Reel
MUN5112DW1T1
SOT363
0B
22
22
3000/Tape & Reel
MUN5113DW1T1
SOT363
0C
47
47
3000/Tape & Reel
MUN5114DW1T1
SOT363
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10
47
3000/Tape & Reel
MUN5115DW1T1
SOT363
0E
10
∞
3000/Tape & Reel
MUN5116DW1T1
SOT363
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4.7
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3000/Tape & Reel
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SOT363
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1.0
1.0
3000/Tape & Reel
MUN5131DW1T1
SOT363
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2.2
2.2
3000/Tape & Reel
MUN5132DW1T1
SOT363
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4.7
4.7
3000/Tape & Reel
MUN5133DW1T1
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22
47
3000/Tape & Reel
MUN5135DW1T1
SOT363
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2.2
47
3000/Tape & Reel
MUN5136DW1T1
SOT363
0N
100
100
3000/Tape & Reel
MUN5137DW1T1
SOT363
0P
47
22
3000/Tape & Reel
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current (V
CB
= 50 V, I
E
= 0)
I
CBO
100
nAdc
Collector-Emitter Cutoff Current (V
CE
= 50 V, I
B
= 0)
I
CEO
500
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 V, I
C
= 0)
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
I
EBO
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
mAdc
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 3.) (I
C
= 2.0 mA, I
B
= 0)
ON CHARACTERISTICS
(Note 3.)
V
(BR)CEO
50
Vdc
Collector-Emitter Saturation Voltage (I
C
= 10 mA, I
E
= 0.3 mA)
(I
C
= 10 mA, I
B
= 5 mA) MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1
(I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA) MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1
MUN5132DW1T1/MUN5133DW1T1/MUN5134DW1T1
3. Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%
V
CE(sat)
0.25
Vdc
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PDF描述
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參數(shù)描述
MUN5115DW1T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5115T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5115T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5116 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5116DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
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