參數(shù)資料
型號: MUN5114T1G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Bias Resistor Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/12頁
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代理商: MUN5114T1G
MUN5111T1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS MUN5111T1
V
I
h
Figure 2. V
CE(sat)
versus I
C
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
T
A
=25
°
C
25
°
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
Figure 5. Output Current versus Input Voltage
Figure 6. Input Voltage versus Output Current
0.01
20
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
0.1
1
0
40
50
1000
1
10
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
T
A
=75
°
C
25
°
C
100
10
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
1
10
100
10
20
30
40
50
T
A
=25
°
C
25
°
C
75
°
C
75
°
C
I
C
/I
B
= 10
50
0
10
20
30
40
4
3
1
2
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
0
T
A
=25
°
C
25
°
C
75
°
C
25
°
C
V
CE
= 10 V
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
V
O
= 0.2 V
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MUN5115DW1T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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