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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5114DW |
| 廠商： | WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| 中文描述： | 雙偏置電阻晶體管進(jìn)步黨硅 |
| 文件頁數(shù)： | 4/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 354K |
| 代理商： | MUN5114DW |
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MUN5111DW Series
Characteristics
Symbol
Min
Max
Unit
Typ
Electrical Characteristics
On Characteristics
Input Resistor
(T
A
=25 C Unless Otherwise noted)
R1/R2
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
0.8
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.0
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
1.2
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
MUN5114DW
MUN5115DW/MUN5116DW
MUN5130DW/MUN5131DW/MUN5132DW
MUN5133DW
MUN5134DW
MUN5135DW
MUN5137DW
Resistor Ratio MUN5111DW/MUN5112DW
MUN5113DW/MUN5136DW
k
WEITRON
MUN5111DW
MUN5112DW
MUN5113DW
MUN5114DW
MUN5115DW
MUN5116DW
MUN5130DW
MUN5131DW
MUN5132DW
MUN5133DW
MUN5134DW
MUN5135DW
MUN5136DW
MUN5137DW
MUN5111DW1T1 Series
FIG.1 Derating Curve - ALL DEVICES
300
200
150
100
50
0- 50
0
50
100
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
5
C)
R
θ
JA
= 490 C/W
250
P
D
,
ALL MUN5111DW1T1 SERIES DEVICES
4. Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0 %
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5115DW | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5116DW | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5130DW | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5131DW | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5132DW | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5114DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 10 k, R2 = 47 k |
| MUN5114DW1T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5114DW1T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5114T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5114T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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