參數(shù)資料
型號: MUN5113DW
廠商: WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述: Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
中文描述: 雙偏置電阻晶體管進(jìn)步黨硅
文件頁數(shù): 8/19頁
文件大?。?/td> 354K
代理商: MUN5113DW
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MUN5111DW Series
WEITRON
10
1
0.1
0
10
20
30
40
50
V
FIG.21 Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
O
= 0.2 V
25 C
T
A
=-25 C
75C
FIG.17 V
CE(sat)
versus I
C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
40
60
80
1
0.1
0.01
0.001
25 C
I
C
/I
B
= 10
T
A
=-25 C
75 C
V
h
FIG.18 DC Current Gain
1
10
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
-25 C
25 C
T
A
=75C
V
CE
= 10 V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
15 20 40 50 60 70 80 90
100
10
10
2
4
6
8
10
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
00
2
4
6
8
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
FIG.19 Output Capacitance
I
FIG.20 Output Current versus Input Voltage
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25C
T
A
=75C
25 C
-25 C
V
O
= 5 V
MUN5111DW Series
TYPICAL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS-MUN5114DW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN5114DW Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5115DW Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5116DW Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5130DW Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5131DW Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MUN5113DW1 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors
MUN5113DW1T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5113DW1T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5113T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5113T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel