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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN5112DW1T1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | MUN5112DW1T1G |
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MUN5111DW1T1 Series
http://onsemi.com
15
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5134DW1T1
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Figure 52. V
CE(sat)
versus I
C
Figure 53. DC Current Gain
Figure 54. Output Capacitance
Figure 55. Output Current versus Input Voltage
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 56. Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
50
40
20
10
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
10
1
0.001
1000
V
C
,
h
F
,
3
45
50
40
30
20
10
0
0
C
o
,
1
2
100
6
5
4
3
2
1
0
0.001
1
10
I
C
,
10
9
8
7
100
30
20
10
0
0.1
1
40
50
V
i
,
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
0.01
35
25
15
5
0.01
0.1
30
2.5
0.5
1.5
3.5
10
I
C
/I
B
= 10
V
CE
= 10 V
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
V
O
= 0.2 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5113DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5114DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5115DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5116DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5130DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5112T1 | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5112T1G | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5112T1GS | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k |
| MUN5113 | 制造商:WEITRON 制造商全稱(chēng):Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5113DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱(chēng):Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
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