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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN5111DW1T1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | MUN5111DW1T1G |
MUN5111DW1T1 Series
http://onsemi.com
6
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5112DW1T1
V
I
h
Figure 7. V
CE(sat)
versus I
C
Figure 8. DC Current Gain
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
Figure 9. Output Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
10
20
30
V
O
= 0.2 V
T
A
=25
°
C
75
°
C
100
10
1
0.1
40
50
Figure 10. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
4
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
5
6
7
8
9
10
Figure 11. Input Voltage versus Output Current
0.01
0.1
1
10
40
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
50
75
°
C
25
°
C
T
A
=25
°
C
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
25
°
C
I
C
/I
B
= 10
25
°
C
25
°
C
V
CE
= 10 V
T
A
=75
°
C
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
=25
°
C
V
O
= 5 V
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5112DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5113DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5114DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5115DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5116DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5111T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5111T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN5111T1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bias Resistor Transistors |
| MUN5111T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5111W | 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network |
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