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參數(shù)資料
| 型號： | MUN2212T1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 263K |
| 代理商： | MUN2212T1 |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2211T1
V
I
h
Figure 2. VCE(sat) versus IC
10
0
20
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
1
0.1
VO = 0.2 V
TA= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
40
50
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
1
0.1
0.01
0.0010
20
40
60
80
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1000
100
101
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
IC/IB = 10
Figure 5. Output Current versus Input Voltage
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
4
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
5
6
7
8
9
10
Figure 6. Input Voltage versus Output Current
50
0
10
20
30
40
4
3
1
2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MUN2213JT1G | 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
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