參數(shù)資料
型號: MUN2136
廠商: WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述: Bias Resistor Transistor PNP Silicon
中文描述: 偏置電阻晶體管進步黨硅
文件頁數(shù): 6/12頁
文件大?。?/td> 229K
代理商: MUN2136
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MUN2111 Series
WEITRON
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS-MUN2112
MUN2111 Series
FIG.8 V
CE(sat)
vs. I
C
FIG.9 DC Current Gain
1000
h
10
100
101
100
FIG.10 Output Capacitance
0
10
20
30
100
10
1
0.1
40
50
FIG.11 Output Current vs. Input Voltage
100
10
0
1
3
4
7
8
9
10
2
5
6
1
0.1
0.01
0.001
FIG.12 Input Voltage vs. Output Current
0.01
0.1
1
10
50
10
20
30
40
4
3
2
1
0
0
V
C
(
I , COLLECTOR CURRENT(mA)
I , COLLECTOR CURRENT(mA)
C
I
I , COLLECTOR CURRENT(mA)
V ,REVERSE BIAS VOLTAGE(V)
C
V ,INPUT VOLTAGE(V)
V
i
o
F
P
0
20
40
80
60
I /I =10
C
B
75 C
75 C
75 C
-25 C
25 C
25 C
25 C
25 C
f=1MHz
I =0V
T =25 C
a
V =10V
V =5V
O
V =0.2V
O
T =75 C
a
T =-25 C
a
T =-25 C
a
T =-25 C
a
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PDF描述
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參數(shù)描述
MUN2136T1 功能描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
MUN2136T1G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bias Resistor Transistors
MUN2137 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN2137T1 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2137T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel