參數資料
型號： MUN2132RT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 偏置電阻晶體管
文件頁數： 3/10頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： MUN2132RT1
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Continued)
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Voltage (off) (VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 k
)
(VCC = 5.0 V, VB = 0.050 V, RL = 1.0 k
) MUN2130T1
(VCC = 5.0 V, VB = 0.25 V, RL = 1.0 k
)
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2131T1
MUN2132T1
VOH
4.9
—
—
Vdc
Input Resistor
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
k
Resistor Ratio
MUN2111T1/MUN2112T1/MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1/MUN2116T1
MUN2130T1/MUN2131T1/MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
R1/R2
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0–50
0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
50
100
150
P
R
θ
JA = 625
°
C/W
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PDF描述
MUN2133RT1 Bias Resistor Transistor
MUN2211T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2231T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2233T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2234T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
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參數描述
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MUN2132T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2132T3 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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MUN2133 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
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