參數(shù)資料
型號: MUN2115T1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Bias Resistor Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù): 7/12頁
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代理商: MUN2115T1
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MUN2113T1
V
i
I
I
C
C
C
o
C
h
F
D
25
°
C
Figure 13. V
CE(sat)
vs. I
C
1000
100
101
10
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 14. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.010
10
20
30
40
Figure 15. Output Capacitance
Figure 16. Output Current vs. Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
10
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Figure 17. Input Voltage vs. Output Current
100
10
1
0.10
10
20
30
40
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
50
T
A
=
25
°
C
75
°
C
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
T
A
= 75
°
C
V
O
= 0.2 V
T
A
= 75
°
C
25
°
C
25
°
C
25
°
C
25
°
C
I
C
/I
B
= 10
25
°
C
75
°
C
T
A
=
25
°
C
V
C
M
(
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MUN2116 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN2116RT1 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Bias Resistor Transistor
MUN2116T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2116T1G 功能描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242