參數(shù)資料
型號： MUN2114T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 159K
代理商： MUN2114T1G
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MUN2113T1
V
i
I
I
C
C
C
o
C
h
F
D
25
°
C
Figure 13. V
CE(sat)
vs. I
C
1000
100
101
10
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 14. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.010
10
20
30
40
Figure 15. Output Capacitance
Figure 16. Output Current vs. Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
10
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Figure 17. Input Voltage vs. Output Current
100
10
1
0.10
10
20
30
40
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
50
T
A
=
25
°
C
75
°
C
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
T
A
= 75
°
C
V
O
= 0.2 V
T
A
= 75
°
C
25
°
C
25
°
C
25
°
C
25
°
C
I
C
/I
B
= 10
25
°
C
75
°
C
T
A
=
25
°
C
V
C
M
(
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PDF描述
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MUN2115T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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