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參數(shù)資料
| 型號： | MUBW50-06A8 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Converter - Brake - Inverter Module (CBI3) |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-24 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | MUBW50-06A8 |
2003 IXYS All rights reserved
2 - 4
Output Inverter T1 - T6
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
CES
T
VJ
= 25°C to 150°C
600
V
V
GES
Continuous
±
20
V
I
C25
I
C80
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
75
50
A
A
RBSOA
V
=
±
15 V; R
= 22
; T
= 125°C
Clamped inductive load; L = 100 μH
I
CM
= 100
V
CEK
≤
V
CES
A
t
(SCSOA)
V
= V
; V
GE
=
±
15 V; R
G
= 22
; T
VJ
= 125°C
non-repetitive
10
μs
P
tot
T
C
= 25°C
250
W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
CE(sat)
I
C
= 50 A; V
GE
= 15 V; T
VJ
= 25°C
1.9
2.1
2.3
V
V
T
VJ
= 125°C
V
GE(th)
I
C
= 1 mA; V
GE
= V
CE
4.5
6.5
V
I
CES
V
CE
= V
CES
;
V
GE
= 0 V; T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
0.8
mA
mA
0.7
I
GES
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
200
nA
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
50
60
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
300
30
2.3
1.7
C
ies
Q
Gon
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V; f = 1 MHz
V
CE
= 300V; V
GE
= 15 V; I
C
= 50 A
2.8
120
nF
nC
R
thJC
(per IGBT)
0.5 K/W
Inductive load, T
= 125°C
V
CE
= 300 V; I
C
= 50 A
V
GE
= ±15 V; R
G
= 22
Output Inverter D1 - D6
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I
F25
I
F80
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
72
45
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= 50 A; V
GE
= 0 V; T
VJ
= 25°C
1.5
1.3
1.7
V
V
T
VJ
= 125°C
I
RM
t
rr
I
F
= 30 A; di
/dt = -500 A/μs; T
VJ
= 125°C
V
R
= 300 V; V
GE
= 0 V
25
90
A
ns
R
thJC
(per diode)
1.19 K/W
3
MUBW 50-06 A8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MUN2111T3G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2115T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2130T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2131T1G | Bias Resistor Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MUBW50-12E8 | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW50-12T8 | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW50-17T8 | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 1700V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW6-06A6 | 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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