參數(shù)資料
型號(hào)： MUBW4-12A6
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 3.6A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|絡(luò)合物橋| 1.2KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 3.6AI（丙）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 269K
代理商： MUBW4-12A6
1999 IXYS All rights reserved
3-8
Brake Chopper T7, D7
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C; R
GE
= 20k
1200
V
1200
V
V
GE
T
VJ
= 25°C
±20
V
I
C
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
3.6
2.4
A
A
I
CM
t
p
= 1 ms = 1% duty cycle;
T
C
= 25°C
T
C
= 110°C
7.2
4.8
A
A
t
SC
V
= 600 V; T
VJ
= 125°C
non-repetitive
10
μs
P
tot
T
C
= 25°C
45
W
T
VJ
T
VJ
Free-Wheeling Diode
IGBT
+150
+150
°C
°C
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
I
CES
V
GE
= 0 V; V
CE
= 1000 V
1
25
μA
I
GES
V
CE
= 0 V; V
GE
= 25 V
0.1
100
nA
V
GE(th)
V
GE
= V
CE
; I
C
= 0.1 mA
4.5
5.5
6.5
V
V
(BR)CES
V
GE
= 0 V; I
C
= 10 mA; T
VJ
= -40°C
1200
V
V
CEsat
V
GE
= 15 V; I
C
= 1.5 A; T
VJ
= 25°C
2.8
3.3
4.5
V
V
T
VJ
= 150°C
4
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
E
off
E
on
100
58
ns
ns
80
290
ns
ns
0.12
0.34
mJ
mJ
C
iss
C
oss
C
rss
225
25
13
pF
pF
pF
g
fs
V
CE
= 20 V; I
C
= 1.5 A
0.6
S
Q
g
V
CC
= 800 V; I
C
= 1 A pulse; V
GE
= 15 V
24.1
nC
V
F
I
F
= 4 A; V
GE
= 0 V;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 100°C
2.3
3
V
V
2
t
rr
I
F
= 4 A; V
= 0 V; T
= 100°C
V
R
= -300 V; di
F
/dt = -800 A/μs
55
ns
Q
r
I
F
= 4 A; V
= 0 V; T
= 100°C
V
R
= -300 V; di
F
/dt = -800 A/μs
0.8
μC
I
r
250
μA
R
thJC
IGBT
Diode
(per die)
(per die)
2.3
2.25
°C/W
°C/W
Inductive load, T
= 125°C
V
CC
= 600 V; I
C
= 1.5 A
R
G
= 100
; V
GE
= ±15 V
V
GE
= 0 V
V
= 25 V
f = 1 MHz
MUBW 4-12 A6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUBW50-06A7 Industrial Control IC
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參數(shù)描述
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MUBW50-06A7 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MUBW50-06A8 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MUBW50-12A8 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MUBW50-12E8 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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