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參數(shù)資料
| 型號： | MUBW30-12A6 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Converter - Brake - Inverter Module |
| 中文描述： | 31 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-25 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | MUBW30-12A6 |
2000 IXYS All rights reserved
3 - 8
MUBW 30-12 A6
Brake Chopper T7, D7
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C; R
GE
= 20k
1200
V
1200
V
V
GE
T
VJ
= 25°C
±20
V
I
C
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
18
A
A
11.5
I
CM
t
p
= 1 ms = 1% duty cycle;
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
36
23
A
A
t
SC
V
= 600 V; T
VJ
= 125°C
non-repetitive
10
μs
P
tot
T
C
= 25°C
70
W
T
VJ
T
VJ
Free-Wheeling Diode
IGBT
+150
+150
°C
°C
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
I
CES
V
GE
= 0 V; V
CE
= 1000 V
500
μA
I
GES
V
CE
= 0 V; V
GE
= 25 V
100
nA
V
GE(th)
V
GE
= V
CE
; I
C
= 0.35 mA
4.5
5.5
6.5
V
V
(BR)CES
V
GE
= 0 V; I
C
= 10 mA; T
VJ
= -40°C
1200
V
V
CEsat
V
GE
= 15 V; I
C
= 10 A; T
VJ
= 25°C
2.9
3.4
V
V
T
VJ
= 150°C
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
E
off
E
on
350
40
ns
ns
80
ns
ns
420
0.9
1.3
mJ
mJ
C
iss
C
oss
C
rss
850
98
60
nF
nF
nF
g
fs
V
CE
= 20 V; I
C
= 1.5 A
1.7
S
Q
g
V
CC
= 1000 V; I
C
= 8 A pulse; V
GE
= 15 V
58
nC
V
F
I
F
= 4 A; V
GE
= 0 V;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 100°C
2.3
3
V
V
2
t
rr
I
F
= 4 A; V
= 0 V; T
= 100°C
V
R
= -300 V; di
F
/dt = -800 A/μs
55
ns
Q
r
I
F
= 4 A; V
= 0 V; T
= 100°C
V
R
= -300 V; di
F
/dt = -800 A/μs
0.8
μC
I
r
250
μA
R
thJC
IGBT
Diode
(per die)
(per die)
1.5
2.25
°C/W
°C/W
Inductive load, T
= 125°C
V
CC
= 600 V; I
C
= 8 A
R
G
= 100 ; V
GE
= ±15 V
V
GE
= 0 V
V
= 25 V
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MUN2130T1G | Bias Resistor Transistors |
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參數(shù)描述 |
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