參數(shù)資料
型號(hào)： MUBW10-12A6
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Converter - Brake - Inverter Module (CBI1)
中文描述： 13 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 261K
代理商： MUBW10-12A6
2000 IXYS All rights reserved
7 - 8
MUBW 10-12A6
5J2KP
WQ
WGRII
WIRII
WGRQ
WURQ
(P:V
5
J
2
KP
(RII &
(RII&
(RQ&
(RQ&
IGBT
Z
thJH
[K/W]
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t (s)
D = 0
D = 0.005
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
Output Inverter T1 - T6
7\SVZLWFKLQJWLPHV
,$
WQ
WGRII
WIRII
WGRQ
WURQ
7\SVZLWFKLQJORVVHV
,$
(
P
:
V
(RII&
(RII&
(RQ&
(RQ&
Transient thermal resistance junction to heatsink
I
C
= 5 A
V
CE
= 600 V
T
VJ
= 125
°
C
R
G
= 250
V
CE
= 600 V
T
VJ
= 125
°
C
R
G
= 250
V
CE
= 600 V
I
C
= 5 A
V
CE
= 600 V
(Z
is measured using 50 μm
thermal grease)
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PDF描述
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參數(shù)描述
MUBW10-12A7 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 10 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MUBW15-06A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MUBW15-06A6K 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 15 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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MUBW15-12A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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