| 型號: | MTZJT-778.2B |
| 元件分類: | 齊納二極管 |
| 英文描述: | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大小: | 186K |
| 代理商: | MTZJT-778.2B |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5260BLT1T3 | 43 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MPN3700RLRP | 200 V, SILICON, PIN DIODE, TO-92 |
| MV104RLRA | 32 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
| MP106 | 10 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MV5308 | RECTIFIER DIODE, DO-7 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTZJT-779.1A | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MTZJT-779.1B | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MTZJT-779.1C | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MTZPC-E-OEM | 制造商:Multi-Tech Systems 功能描述:EDGE,850/900/1800/1900M(PCI) |
| MU 454882FPA(MA) | 制造商:NSF (CONTROLS) 功能描述:MECHANISM MA 30 DEG METAL 制造商:NSF (CONTROLS) 功能描述:MECHANISM, MA 30 DEG, METAL 制造商:NSF (CONTROLS) 功能描述:MECHANISM, MA 30 DEG, METAL; For Use With:MU-MA Rotary Wafer Switches ;RoHS Compliant: Yes |