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參數(shù)資料
| 型號： | MTZJT-777.5B |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | MTZJT-777.5B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MP3510W | 35 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MMSZ12T1T3 | 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ24T1T3 | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MCL4448 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MBD110DWT3 | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTZJT-778.2B | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 8.2V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MTZJT-778.2C | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 8.2V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MTZJT-779.1A | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MTZJT-779.1B | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MTZJT-779.1C | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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