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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MTP8N06 |
| 廠(chǎng)商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM |
| 中文描述： | TMOS是功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管8.0安培60伏特的RDS（on）\u003d 0.12歐姆 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 212K |
| 代理商： | MTP8N06 |
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
ISSUE Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
–T–
C
S
T
U
R
J
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP8N06E | TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM |
| MTS102 | Silicon Temperature Sensors |
| MTS103 | Silicon Temperature Sensors |
| MTS105 | Silicon Temperature Sensors |
| MTSF3N02HD | SINGLE TMOS POWER MOSFET 4.0 AMPERES 20 VOLTS RDS(on) = 0.040 OHM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTP8N06E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM |
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