| 型號: | MTP6N60 |
| 廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述: | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET) |
| 中文描述: | N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管(不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的) |
| 文件頁數(shù): | 1/9頁 |
| 文件大小: | 153K |
| 代理商: | MTP6N60 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP7N18 | N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
| MTP7N20 | N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
| MUR8100E | 8A, 1000V Ultrafast Diodes |
| MUR8100E | SWITCHMODE Power Rectifiers |
| MUR8100EG | SWITCHMODE Power Rectifiers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTP6N60E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS |
| MTP6P20E | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MTP75 | 制造商:NELLSEMI 制造商全稱:Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Glass Passivated Three-Phase Bridge Rectifier, 75A |
| MTP75A | 制造商:NELLSEMI 制造商全稱:Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Three-Phase Bridge Rectifier, 75A |
| MTP75D | 制造商:NELLSEMI 制造商全稱:Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Three-Phase Bridge Rectifier, 75A |