參數(shù)資料
型號： MTP55N06Z
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 55 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 18 mohm
中文描述： 55 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 143K
代理商： MTP55N06Z
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
Figure 1. On–Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–to–Source Leakage Current
versus Voltage
3.0
4.5
0
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
60
40
20
50
10
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
4.4
6.4
2.0
40
20
10
0
60
10
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
24
20
16
12
8.0
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
20
10
15.0
14.6
14.2
13.8
13.4
13.0
30
–25
25
–50
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
1.8
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
10
50
0
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
0
I
I
D
R
0
1.5
0.5
1.0
2.0
2.5
3.5
4.0
4.8
5.2
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
30
50
60
20
30
40
50
40
50
60
,
R
50
150
75
1.6
20
60
30
40
I
5.0
30
5.6
6.0
,
VDS
≥
10 V
,
D
VGS = 10 V
R
,
D
100
125
VGS = 10 V
ID = 15 A
VGS = 0 V
VGS = 4.0 V
TJ = 25
°
C
5.0 V
6.0 V
10 V
9.0 V
8.0 V
7.0 V
TJ = –55
°
C
100
°
C
25
°
C
TJ = 100
°
C
–55
°
C
25
°
C
VGS = 10 V
TJ = 25
°
C
15 V
TJ = 25
°
C
100
°
C
125
°
C
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PDF描述
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MTP5N20 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
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