| 型號: | MTP3055E |
| 廠商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | JFETs |
| 英文描述: | 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| 封裝: | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù): | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商: | MTP3055E |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP30N06EL | 26 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| MTP15N06E | 15 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| MTP52N06VLG | 52 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP52N06V | 52 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP5N40E | 5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTP3055EL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TMOS IV N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE |
| MTP3055V | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTP3055V | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| MTP3055V_L86Z | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTP3055VL | 功能描述:MOSFET 60V Single N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |