參數(shù)資料
型號(hào): MTP3055E
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET
中文描述: ? -通道60V的- 0.1ohm - 12A條,220 STripFET MOSFET的
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 160K
代理商: MTP3055E
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
ISSUE Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
–T–
C
S
T
U
R
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTP3055V TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.15 OHM
MTP3055VL TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.18 OHM
MTP3055VL N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
MTP30N06VL TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.050 OHM
MTP30P06V TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTP3055EL 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TMOS IV N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE
MTP3055V 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTP3055V 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
MTP3055V_L86Z 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTP3055VL 功能描述:MOSFET 60V Single N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube