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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MTP12N18 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET，第12A，150-200 V |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 177K |
| 代理商： | MTP12N18 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP12N06 | TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.180 OHM |
| MTP12P06 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTP12P10 | TMOS POWER FET 12 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM |
| MTP12N06EZL | TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.180 OHM |
| MTP12N20 | N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTP12N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
| MTP12P06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTP12P10 | 功能描述:MOSFET 100V 12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTP12P10G | 功能描述:MOSFET 100V 12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTP1302 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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