參數(shù)資料
型號(hào)： MTD6N20E
廠(chǎng)商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.7 OHM
中文描述： 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 269K
代理商： MTD6N20E
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
R
(
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
ID
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
R
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
I
TJ = 25
°
C
VDS
≥
10 V
TJ = –55
°
C
25
°
C
TJ = 100
°
C
VGS = 0 V
VGS = 10 V
VGS = 10 V
ID = 3 A
9 V
8 V
7 V
6 V
5 V
100
°
C
VGS = 10 V
25
°
C
–55
°
C
TJ = 25
°
C
VGS = 10 V
15 V
TJ = 125
°
C
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
6
4
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
0.70
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
– 50
100
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2
3
4
5
6
7
8
9
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
– 25
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
0.4
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
10
25
°
C
100
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD6P10E TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM
MTM55N10 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTM60N06 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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