參數資料
型號: MTD5010M
廠商: Marktech Optoelectronics
英文描述: Ultra High Speed Photo Diode
中文描述: 超高速光電二極管
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代理商: MTD5010M
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optoelectronics
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Ultra High Speed Photo Diode
MTD5010M
Applications -
MAXIMUM RA
TINGS (a = 25°C)
UNIT: mm
Ultra High Speed
Low Dark current
Wide Angular Response
High Reliability in Demanding Environments
(Metal Can Package)
Fetures -
OPO-ELECTRICAL CHARCTERISTICS (Ta = 25°C)
Optical Switches
Smoke Detectors
Edge Sensing
Fiber Optical Communications
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Reverse Voltage
V
R
30
V
Power Dissapation
P
D
100
mW
Operating Temperature
T
opr
-30~100
°C
Storage Temperature
T
stg
-40~125
°C
High Frequency Response
fc
up to 100
MHz
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Open Circuit Voltage
Voc
L = 1000Lux*
0.35
V
Light Current
IL
VR = 10V L = 1000Lux*
30
μA
Dark Current
ID
VR = 10V
5
nA
Spectral Sensitivity
λ
400~1000
nm
Peak Sensitivity Wavelength
λ
p
850
nm
Responsivity
Rt
VR = OV,
λ
= 450nm
.15
A/W
Rt
VR = OV,
λ
= 900nm
.55
A/W
Angular Response
θ
±55
deg
Junction Capacitance
Cj
1 MHz V=OV
15
pF
* Color Temperature = 2870o K Standard Tungsten Lamp
1. Anode 2. Cathode
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