| 型號: | MTD3055EL |
| 廠商: | MOTOROLA INC |
| 元件分類: | JFETs |
| 英文描述: | TMOS IV Power Field Effect Transistor(N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate) |
| 中文描述: | 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 文件頁數: | 1/3頁 |
| 文件大小: | 179K |
| 代理商: | MTD3055EL |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD3055VL | TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.18 OHM |
| MTD3055V | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| MTD3055V1 | Power MOSFET 12Amps, 60 Volts |
| MTD3055V | Power MOSFET 12Amps, 60 Volts |
| MTD3055VT4 | Power MOSFET 12Amps, 60 Volts |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MTD3055ELT4 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:3055ELT4 |
| MTD3055V | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTD3055V | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| MTD3055V1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
| MTD3055VL | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |