| 型號: | MTD2N50E1 | 
| 廠商: | ON SEMICONDUCTOR | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | 2 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 
| 封裝: | CASE 369A-13, DPAK-3 | 
| 文件頁數(shù): | 9/12頁 | 
| 文件大?。?/td> | 147K | 
| 代理商: | MTD2N50E1 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| MTD2N50E | 2 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 
| MTD3302 | 8300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 
| MTD4N20E | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 
| MTD4N20E1 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 
| MTD4N20E-1 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| MTD3010N | 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 RoHS:是 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電二極管 系列:- 標準包裝:1 系列:- 波長:850nm 顏色 - 增強型:- 光譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:引腳 nm 下響應(yīng)率:0.62 A/W @ 850nm 響應(yīng)時間:5ns 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 暗(標準):1nA 有效面積:1mm² 視角:150° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:徑向,5mm 直徑(T 1 3/4) 其它名稱:475-2649-6 | 
| MTD3010N-DIG | 制造商:Marktech Optoelectronics 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 | 
| MTD3010PM | 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 RoHS:是 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電二極管 系列:- 標準包裝:1 系列:- 波長:850nm 顏色 - 增強型:- 光譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:引腳 nm 下響應(yīng)率:0.62 A/W @ 850nm 響應(yīng)時間:5ns 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 暗(標準):1nA 有效面積:1mm² 視角:150° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:徑向,5mm 直徑(T 1 3/4) 其它名稱:475-2649-6 | 
| MTD3010PM_11 | 制造商:MARKTECH 制造商全稱:Marktech Corporate 功能描述:Peak Sensitivity Wavelength: 900nm | 
| MTD3010PM_2 | 制造商:MARKTECH 制造商全稱:Marktech Corporate 功能描述:Photo Diode |