參數(shù)資料
型號(hào)： MTD2955V
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 12 A, 60 V, 0.23 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大小： 148K
代理商： MTD2955V
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. On–Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
0
1
2
3
4
5
0
15
25
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID
2
4
6
8
10
0
9
18
24
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25
°
C
VDS
≥
10 V
TJ = – 55
°
C
25
°
C
100
°
C
VGS = 10 V
9 V
8 V
6 V
5 V
7 V
5
10
20
3
5
7
9
3
12
21
6
7
8
9
10
15
6
R
0
3
6
15
24
0
0.10
0.20
0.30
R
0
6
21
24
0.050
0.075
0.200
0.250
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
TJ = 25
°
C
VGS = 10 V
TJ = 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
12
21
3
12
15
0.05
0.15
0.25
0.100
0.225
0.125
VGS = 10 V
15 V
18
9
0.35
0.40
0.175
9
18
0.150
R
(
– 50
0.6
0.8
1.2
1.6
0
20
50
60
10
100
1000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
– 25
0
25
50
75
100
125
150
VGS = 0 V
VGS = 10 V
ID = 6 A
10
30
40
1.0
1.4
TJ = 125
°
C
175
0.4
0.2
0
1.8
2.0
100
°
C
POWER MOSFET SWITCHING
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PDF描述
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