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參數(shù)資料
| 型號： | MTD15N06 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS |
| 中文描述： | TMOS是功率FET 15安培60伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 218K |
| 代理商： | MTD15N06 |
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10
VGS = 10 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
1.0
Figure 13. Thermal Response
r
T
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
1.0
10
100
0.1
dc
100
μ
s
1 ms
10 ms
10
μ
s
t, TIME (s)
1.0
0.1
0.01
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.2
D = 0.5
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
A
25
50
75
100
125
150
0
120
80
60
40
100
20
ID = 15 A
175
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD15N06V | TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS |
| MTD15N06VL | TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.085 OHM |
| MTD1N40 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTD1N50E | IC REG LDO 1.5A ADJ VOLT TO263-5 |
| MTD1N60E | TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTD15N06V | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
| MTD15N06V1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail |
| MTD15N06VL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N LOGIC D-PAK |
| MTD15N06VL1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MTD15N06VLT4 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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