| 型號: | MTD-1002-M33-1 |
| 元件分類: | 射頻混頻器 |
| 英文描述: | SILICON, VHF-L BAND, MIXER DIODE |
| 文件頁數(shù): | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商: | MTD-1002-M33-1 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBD-1057-C18 | SILICON, KU BAND, MIXER DIODE |
| MBD-3057-C18 | SILICON, KU BAND, MIXER DIODE |
| MBD-5057-T54 | SILICON, KU BAND, MIXER DIODE |
| ML40463-119 | GALLIUM ARSENIDE, K BAND, MIXER DIODE |
| ML4942-275 | 27 GHz - 32 GHz, GALLIUM ARSENIDE, GUNN DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTD10N05E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS4 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTD10N10EL_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount |
| MTD10N10ELT4 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MTD10N10ELT4G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount |