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參數(shù)資料
| 型號： | MTB75N06HD |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS |
| 中文描述： | 75 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 342K |
| 代理商： | MTB75N06HD |
11
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 418B–02
ISSUE B
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.575
0.045
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
0.110
0.025
0.110
0.625
0.055
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
14.60
1.14
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
2.79
0.64
2.79
15.88
1.40
MILLIMETERS
MIN
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
2
3
-T-
SEATING
PLANE
B
A
S
4
D
3 PL
MIN
MAX
MAX
INCHES
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
S
V
G
V
E
C
H
J
K
T
0.13 (0.005)
M
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTB75N06 | TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS |
| MTB9N25E | TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 250 VOLTS |
| MTD2955V | TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.230 OHM |
| MTD2955V | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| MTD2N50 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE DPAK FOR SURFACE MOUNT OR INSERTION MOUNT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTB7671 | 制造商:Megger 功能描述:METER TEST BOX |
| MTB-7PL80 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:MTB-7PL80 / 095262-0006 / MICRO |
| MTB-7SL80 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:MTB-7SL80 - Bulk |
| MTB8N50E | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MTB90P06J3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET |
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