參數(shù)資料
型號(hào)： MTB75N05HD
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 75 AMPERES 50 VOLTS
中文描述： 75 A, 50 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 254K
代理商： MTB75N05HD
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
R
R
(
R
ID
0
160
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
5 V
TJ = 25
°
C
100
60
20
0
1
2
3
4
5
160
ID
120
80
40
20
00
1
2
3
5
8
0.014
0.012
0.01
0.006
0.004
0
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
20
TJ = 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
VGS = 10 V
0.009
0.008
0.005
0
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
20
40
60
80
100
120
TJ = 25
°
C
2
1.5
1
0.5
0
– 50
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
– 25
0
25
50
75
100
125
150
VGS = 10 V
ID = 37.5 A
1000
100
0
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0
15
30
40
50
25
°
C
100
°
C
VGS = 10 V
TJ = – 55
°
C
25
°
C
100
°
C
0.008
0.002
0.007
0.006
140
160
10000
10
40
80
120
140
1.5
2.5
3.5
4.5
0.5
140
100
60
6
4
7
40
60
80
100
120
140
5
10
20
25
35
45
TJ = 125
°
C
7 V
6 V
(1)Pulse Tests: Pulse Width
≤
250
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
VDS
≥
10 V
15 V
VGS = 10 V
VGS = 0 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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