參數(shù)資料
型號： MTB50N06V
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS
中文描述： 42 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 289K
代理商： MTB50N06V
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
1
100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
A
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
25
50
75
100
125
10
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
150
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
r
T
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3
25
50
75
100
125
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
P
Figure 15. D2PAK Power Derating Curve
R
JA = 50
°
C/W
Board material = 0.065 mil FR–4
Mounted on the minimum recommended footprint
Collector/Drain Pad Size
≈
450 mils x 350 mils
10
1000
1
0
400
240
160
320
100
10
μ
s
100
μ
s
1 ms
10 ms
dc
80
ID = 42 A
1
0.1
0.01
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
175
175
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PDF描述
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MTB52N06V TMOS POWER FET 52 AMPERES 60 VOLTS
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MTB50P03HDL 功能描述:MOSFET 30V 50A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTB50P03HDLG 功能描述:MOSFET PFET 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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