參數(shù)資料
型號(hào)： MTB50N06EL
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 50 AMPERES 60 VOLTS
中文描述： 50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-02, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 97K
代理商： MTB50N06EL
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 418B–02
ISSUE B
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.575
0.045
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
0.110
0.025
0.110
0.625
0.055
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
14.60
1.14
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
2.79
0.64
2.79
15.88
1.40
MILLIMETERS
MIN
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
2
3
-T-
SEATING
PLANE
B
A
S
4
D
3 PL
MIN
MAX
MAX
INCHES
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
S
V
G
V
E
C
H
J
K
T
0.13 (0.005)
M
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTB50N06VL TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS
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參數(shù)描述
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MTB50N06VLT4 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MTB50N06VT4 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MTB50P03HDL 功能描述:MOSFET 30V 50A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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