參數(shù)資料
型號(hào)： MT28C64416W30AFW-F705P70KBWT
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77
封裝： 8 X 10 MM, FBGA-77
文件頁(yè)數(shù)： 1/13頁(yè)
文件大?。?/td> 239K
代理商： MT28C64416W30AFW-F705P70KBWT
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09005aef80c9c807
MT28C64432W18A.fm - Rev. F Pub 2/04 EN
1
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb MULTIBANK ASYNC/PAGE OR BURST FLASH
16Mb/32Mb/64Mb ASYNC/PAGE CellularRAM
FLASH AND CellularRAM
COMBO MEMORY
MT28C64416W18/W30A (ADVANCE)
MT28C64432W18/W30A
MT28C64464W18/W30A
Low Voltage, Wireless Temperature
Features
Stacked die Combo package
Includes one 64Mb Flash device
Choice of either 16Mb, 32Mb, or 64Mb Cellular-
RAM device
Basic configuration
Flash
Flexible multibank architecture
4 Meg x 16 Async/Page/Burst interface
Support for true concurrent operations with no
latency
CellularRAM
Low-power, high-density design
1 Meg x 16, 2 Meg x 16, or 4 Meg x 16 configurations
Async/Page
F_VCC, VCCQ, F_VPP, C_VCC voltages
1.70V (MIN)/1.95V (MAX) F_VCC, C_VCC
1.70V (MIN)/2.24V (MAX) VCCQ (W18)
2.20V (MIN)/3.30V(MAX) VCCQ (W30)
1.80V (TYP) F_VPP (in-system PROGRAM/ERASE)
12V ±5% (HV) F_VPP tolerant (factory programming
compatibility)
Fast programming Algorithm (FPA)
Enhanced suspend options
ERASE-SUSPEND-to-READ within same bank
PROGRAM-SUSPEND-to-READ within same bank
ERASE-SUSPEND-to-PROGRAM within same bank
Flash device contains two 64-bit chip protection registers
for security purposes
100,000 ERASE cycles per block
Cross-compatible command set support
Extended command set
Common Flash interface (CFI) compliant
Manufacturer’s Identification Code (ManID)
Micron
Intel
MT28C64416W18/W30A is advance status.
Options
Flash Timing
60ns1 (W18)
70ns (W18/W30)
Flash Burst Frequency
66 MHz1 (W18)
54 MHz (W18/W30)
Flash Boot Block Configuration
Top
Bottom
CellularRAM Timing
70ns
85ns
I/O Voltage Range
VccQ 1.70V–2.24V (W18)
VccQ 2.20V–3.30V (W30)
Manufacturer’s Identification Code (ManID)
Micron (0x2Ch)
Intel (0x89h)
Operating Temperature Range
Wireless Temperature (-25°C to +85°C)
Package
77-ball (Standard) FBGA 8 x 10 grid
77-ball (Lead-free) FBGA 8 x 10 grid2
NOTE:
1. Contact factory for availability.
2. Contact factory for details.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
1
2
3
4
5
6
7
8
?Top View
(Ball?Down)
C_VSS
F_VPP
F_WP#
F_RST#
DQ10
DQ3
DQ11
NC
F_VCC
A19
C_UB#
DQ2
DQ1
DQ9
NC
VCCQ
A4
A5
A3
A2
A1
A0
C_OE#
NC
F_CE#
C_VSS
F_VCC
F_CLK
C_CE#
A20
A8
DQ13
DQ14
DQ6
F_VCC
VSSQ
A11
A12
A13
A15
A16
RFU
VCCQ
C_ZZ#
C_VSS
F_VCC
NC
C_WE#
F_ADV#
F_WE#
DQ5
DQ12
DQ4
C_VCC
C_VSS
A18
C_LB#
A17
A7
A6
DQ8
DQ0
F_OE#
NC
VSSQ
RFU
A9
A10
A14
F_WAIT#
DQ7
DQ15
VCCQ
F_VSS
A21
Figure 1: 77-Ball FBGA
NOTE:
Balls B6, D5, and F7 are only used for Flash burst operation.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MT28C256532W18SFT-F606P70TTWT SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88
MT28C256532W18SFT-F706P70TTWT SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MT28EW128ABA1HPC-0SIT 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 64LBGA 制造商:micron technology inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):60ns 訪問(wèn)時(shí)間:95ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-LBGA（11x13） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,104
MT28EW128ABA1LJS-0SIT 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 56TSOP 制造商:micron technology inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):60ns 訪問(wèn)時(shí)間:95ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP（14x20） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576
MT28EW128ABA1LPC-0SIT 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 64LBGA 制造商:micron technology inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):60ns 訪問(wèn)時(shí)間:95ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-LBGA（11x13） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,104
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