| 型號: | MSD602-RT3 |
| 廠商: | MOTOROLA INC |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數: | 1/1頁 |
| 文件大小: | 26K |
| 代理商: | MSD602-RT3 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSG110 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| MSG33003 | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSG36C42 | 2 CHANNEL, L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSG36E31 | 2 CHANNEL, L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSG43002 | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MSD6100 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MSD6100G | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MSD6100RLRA | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MSD6100RLRAG | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MSD6101 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |