| 型號: | MSD160-18 |
| 廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類: | 橋式整流 |
| 英文描述: | 3 PHASE, 1800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝: | CASE M3, 5 PIN |
| 文件頁數(shù): | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商: | MSD160-18 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MASMLJ18CE3TR | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| MASMLJ33AE3TR | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| MASMLJ6.5CAE3 | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| MASMLJ90AE3 | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| MLL5226C-1E3 | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSD1819ART1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MSD1819A-RT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD1819A-RT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Transistor |
| MSD1819A-RT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD1819A-ST1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |