| 型號(hào): | MSD160-16 |
| 廠商: | MICROSEMI CORP |
| 元件分類: | 參考電壓二極管 |
| 英文描述: | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝: | CASE M2, 5 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù): | 2/3頁(yè) |
| 文件大小: | 154K |
| 代理商: | MSD160-16 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSD51A1/FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT |
| MSD52A1/FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT |
| MSD54A1/FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT |
| MSD53A4G5-FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.8 MHz - 156.25 MHz, LVCMOS OUTPUT |
| MSD6102 | 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSD160-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD BRIDGE 3PH 1800V 160A M3 |
| MSD1819ART1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MSD1819A-RT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD1819A-RT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Transistor |
| MSD1819A-RT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |