參數(shù)資料
型號: MSD160-08
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: 橋式整流
英文描述: 3 PHASE, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝: CASE M3, 5 PIN
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大?。?/td> 152K
代理商: MSD160-08
MSD160
MSD160-Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
1/4
Module Type
TYPE
VRRM
VRSM
MSD160 – 08
MSD160 – 12
MSD160 – 16
MSD160 – 18
800V
1200V
1600V
1800V
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
ID
Tc=100
160
A
IFSM
t=10mS Tvj =45
1800
A
i2t
t=10mS Tvj =45
16200
A2s
Visol
a.c.50Hz;r.m.s.;1min
3000
V
Tvj
-40 to 150
Tstg
-40 to 125
Mt
To terminals(M6)
5±15%
Nm
Ms
To heatsink(M6)
5±15%
Nm
Weight
Module
230
g
Thermal Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Rth(j-c)
Per diode
0.65
℃/W
Rth(c-s)
Module
0.03
℃/W
Electrical Characteristics
Circuit
Glass Passivated Three
Phase Rectifier Bridge
VRRM 800 to 1800V
ID
160 Amp
Features
Three phase bridge rectifier
Blocking voltage:
800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide DCB
ceramic isolated metal baseplate
Glass passivated chip
Applications
Three phase rectifiers for power supplies
Rectifiers for DC motor field supplies
Battery charger rectifiers
Input rectifiers for variable frequency drives
-
+
~
MSD
Symbol
Conditions
Values
Units
VFM
T=25
℃ IFM =300A
1.65
V
IRD
Tvj =25
℃ VRD=VRRM
Tvj =150
℃ VRD=VRRM
≤0.5
≤6
mA
相關PDF資料
PDF描述
MBR1680FCTP 16 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MP251WGPP 25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
MBRD820CTP 4 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MA1.5KE160E3TR 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MASMLJ160E3TR 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
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參數(shù)描述
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