型號: | MSD130-16 |
廠商: | MICROSEMI CORP |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封裝: | CASE M3, 5 PIN |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 154K |
代理商: | MSD130-16 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MSD160-16 | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
MSD51A1/FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT |
MSD52A1/FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT |
MSD54A1/FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT |
MSD53A4G5-FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.8 MHz - 156.25 MHz, LVCMOS OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MSD130-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk |
MSD1328 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Low Voltage Output Amplifiers |
MSD1328RT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23VAR |
MSD1328-RT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSD1328-RT1_04 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Low Voltage Output Amplifiers |