| 型號(hào): | MSCD60-18 |
| 廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類: | 整流器 |
| 英文描述: | 60 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝: | CASE D1, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 294K |
| 代理商: | MSCD60-18 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG1042-11 | 9.5 GHz - 11.5 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED GUNN DIODE |
| MA46475-134 | VHF-KA BAND, 1.8 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA4E2054A1-1146T | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, MIXER DIODE |
| MQ15KP160AE3TR | 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
| MQ15KP280CTR | 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSCD70-08 | 功能描述:DIODE MOD GPP 800V 70A SD1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個(gè)二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件 |
| MSCD70-12 | 功能描述:DIODE MOD GPP 1200V 70A SD1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個(gè)二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件 |
| MSCD70-16 | 功能描述:DIODE ARRAY 1600V 70A SD1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個(gè)二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件 |
| MSCD70-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk |
| MSCD88565WI | 制造商:Microsoft 功能描述:WINDOWS 7 ULTIMATE RETAIL UPGRADE |