參數(shù)資料
型號： MSCD36-12
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： 整流器
英文描述： 36 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： CASE D1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 319K
代理商： MSCD36-12
MSKD36_MSAD36_MSCD36 -Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
1/3
MSKD36 ; MSAD36 ; MSCD36
Module Type
TYPE
VRRM
VRSM
MSKD36-08
MSKD36-12
MSKD36-16
MSKD36-18
MSAD36-08
MSAD36-12
MSAD36-16
MSAD36-18
MSCD36-08
MSCD36-12
MSCD36-16
MSCD36-18
800V
1200V
1600V
1800V
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
IFAV
Tc=100
℃
36
A
IFSM
t=10mS Tvj =45
℃
650
A
i2t
t=10mS Tvj =45
℃
2100
A2s
Visol
a.c.50Hz;r.m.s.;1min
3000
V
Tvj
-40 to 150
℃
Tstg
-40 to 125
℃
Mt
To terminals(M5)
2
．5-4
Nm
Ms
To heatsink(M5)
2
．5-4
Nm
Weight
Module
110
g
Thermal Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Rth(j-c)
Per diode
1.0
℃/W
Rth(c-s)
Module
0.1
℃/W
Electrical Characteristics
Circuit
MSKD
1
3
2
MSAD
1
3
2
MSCD
1
3
2
Glass Passivated Rectifier
Diode Modules
VRRM 800 to 1800V
IFAV
36 Amp
Applications
Non-controllable rectifiers for AC/AC
converters
Line rectifiers for transistorized AC motor
controllers
Field supply for DC motors
Features
Blocking voltage:
800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide ceramic
isolated metal baseplate
Glass passivated chip
Symbol
Conditions
Values
Units
VFM
T=25
℃ IFM =100A
1.25
V
IRD
Tvj=TvjM VRD=VRRM
≤5
mA
相關PDF資料
PDF描述
MSCD60-16 60 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MSKD70-08 70 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MG1004-15 5.9 GHz - 8.2 GHz, GALLIUM ARSENIDE, CONTINUOUS WAVE GUNN DIODE
MIV41002-29 mm WAVE BAND, 0.4 pF, 55 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MPG06M-E3/54 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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