參數(shù)資料
型號： MSCD120-12
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 120 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： CASE D1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 295K
代理商： MSCD120-12
MSKD120_MSAD120_MSCD120 - Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
1/4
MSKD120 ; MSAD120 ; MSCD120
Module Type
TYPE
VRRM
VRSM
MSKD120-08
MSKD120-12
MSKD120-16
MSKD120-18
MSAD120-08
MSAD120-12
MSAD120-16
MSAD120-18
MSCD120-08
MSCD120-12
MSCD120-16
MSCD120-18
800V
1200V
1600V
1800V
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
IFAV
Tc=100
℃
120
A
IFSM
t=10mS Tvj =45
℃
2800
A
i2t
t=10mS Tvj =45
℃
39200
A2s
Visol
a.c.50Hz;r.m.s.;1min
3000
V
Tvj
-40 to 150
℃
Tstg
-40 to 125
℃
Mt
To terminals(M5)
2
．5-4
Nm
Ms
To heatsink(M5)
2
．5-4
Nm
Weight
Module
110
g
Thermal Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Rth(j-c)
Per diode
0.26
℃/W
Rth(c-s)
Module
0.1
℃/W
Electrical Characteristics
Circuit
MSKD
1
3
2
MSAD
1
3
2
MSCD
1
3
2
Glass Passivated Rectifier
Diode Modules
VRRM 800 to 1800V
IFAV
120 Amp
Applications
Non-controllable rectifiers for AC/AC
converters
Line rectifiers for transistorized AC motor
controllers
Field supply for DC motors
Features
Blocking voltage:
800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide ceramic
isolated metal baseplate
Glass passivated chip
Symbol
Conditions
Values
Units
VFM
T=25
℃ IFM =300A
1.43
V
IRD
Tvj=TvjM VRD=VRRM
≤6
mA
相關PDF資料
PDF描述
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MG1012-15 12.4 GHz - 18 GHz, GALLIUM ARSENIDE, CONTINUOUS WAVE GUNN DIODE
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MPG06J-HE3/73 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MA4E1340A1-287T SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, C BAND, MIXER DIODE
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參數(shù)描述
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