參數(shù)資料
型號(hào)： MSC81035M
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF & Microwave Transistors L-Band Avionics Applications(用于L波段航空電子的RF和微波晶體管)
中文描述： 射頻
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商： MSC81035M
September 2, 1994
AVIONICS APPLICATIONS
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
.280 2LFL (S068)
epoxysealed
.
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
.
EMITTER SITE BALLASTED
.
∞
:1 VSWR CAPABILITY
.
LOW THERMAL RESISTANCE
.
INPUT MATCHING
.
OVERLAY GEOMETRY
.
METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
.
P
OUT
=
35 W MIN. WITH 10.7 dB GAIN
DESCRIPTION
The MSC81035M is a medium power Class C
transistor designed specifically for pulsed L-Band
avionics applications. This device is a direct re-
placement for the MSC1035M. MSC81035M of-
fers improved saturated ouput power and collec-
tor efficiency based on the test circuit described
herein.
Low RF thermal resistance and computerized au-
tomatic wire bonding techniques ensure high reli-
ability and product consistency.
The MSC81035M is housed in the IMPAC
package with internal input matching.
PIN CONNECTION
BRANDING
81035M
ORDER CODE
MSC81035M
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
=
25
°
C)
Symbol
Parameter
(T
C
≤
100
°
C)
Value
Unit
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
STG
Power Dissipation*
Device Current*
Collector-Supply Voltage*
Junction Temperature (Pulsed RF Operation)
150
3.0
55
250
W
A
V
°
C
°
C
Storage Temperature
65 to +200
R
TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance*
1.0
°
C/W
*Appliesonlyto ratedRF amplifier operation
Note:
Thermal Resistance determined byInfra-Red Scanning of Hot-Spot
Junction Temperature at ratedRF operating conditions.
MSC81035M
1. Collector
2. Base
3. Emitter
4. Base
THERMAL DATA
1/4
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