參數(shù)資料
型號： MSB92WT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor(PNP通用高電壓硅晶體管)
中文描述： 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： MSB92WT1
MSB92WT1, MSB92AWT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
300
Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
300
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
= 100 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
= 200 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.25
A
EmitterBase Cutoff Current
(V
EB
= 3.0 Vdc, I
B
= 0)
I
EBO
0.1
A
DC Current Gain (Note 2)
MSB92WT1:
MSB92AWT1: (V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc)
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 10 mAdc)
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 30 mAdc)
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc)
h
FE1
h
FE1
h
FE2
h
FE3
25
120
40
25
200
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 2)
(I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.5
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
BE(sat)
0.9
Vdc
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 20 Vdc, f = 20 MHz)
f
T
50
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 20 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, D.C.
≤
2%.
C
cb
6.0
pF
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MSBA8100ADS 功能描述:加速傳感器開發(fā)工具 ADS FOR MSBA8100 RoHS:否 制造商:Murata 工具用于評估:SCA3100-D04 加速:2 g 傳感軸:Triple Axis 接口類型:SPI 工作電壓:3.3 V
MSBG 制造商:ADAM-TECH 制造商全稱:Adam Technologies, Inc. 功能描述:.100 MINI SHUNTS .100 [2.54] CENTERLINE
MSB-G 功能描述:集管和線殼 OPEN TOP .100 GOLD PLATED RoHS:否 產品種類:1.0MM Rectangular Connectors 產品類型:Headers - Pin Strip 系列:DF50 觸點類型:Pin (Male) 節(jié)距:1 mm 位置/觸點數(shù)量:16 排數(shù):1 安裝風格:SMD/SMT 安裝角:Right 端接類型:Solder 外殼材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 觸點材料:Brass 觸點電鍍:Gold 制造商:Hirose Connector
MSBG-02-G 制造商:Adam Technologies Inc 功能描述:.236" OPEN TOP Green GOLD PLATED MINI SHUNT
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